企业简介
![博嘉圣(福州)微电子科技有限公司](http://img.czvv.com/logo/4ed60e2fe588ed97b43c2fa2/4ed60e2fe588ed97b43c2fa2.png)
博嘉圣(福州)微电子科技有限公司的工商信息
- 350103100004864
- 913501036692874530
- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司
- 2008-01-07
- 罗金风
- 200万人民币
- 2008-01-07 至 永久
- 福州市仓山区市场监督管理局
- 福建省福州市仓山区盖山镇阳岐支路10号1号楼第4层403室
- 集成电路芯片和半导体器件的开发与销售;电子产品、仪器仪表、机械设备及配件、电气设备、照明电器的销售。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
博嘉圣(福州)微电子科技有限公司的商标信息
序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
1 | 9142618 | ![]() |
BGS | 2011-02-23 | 半导体器件;半导体;集成电路;集成电路块;电子芯片;晶片(锗片);石英晶体;整流器;配电箱(电);低压电源 | 查看详情 |
博嘉圣(福州)微电子科技有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN101882181A | TFT-LCD驱动芯片版图设计中降低寄生参数影响的方法 | 2010.11.10 | 本发明涉及一种TFT-LCD驱动芯片版图设计中降低寄生参数影响的方法,其特征在于:包括减少寄生电容、 |
2 | CN203205423U | 一种VDMOS场效应晶体管优化结构 | 2013.09.18 | 本实用新型涉及一种VDMOS场效应晶体管优化结构,其特征在于包括:第一金属电极,该第一金属电极作为该 |
3 | CN102361012A | 一种减小功率VDMOSFET导通电阻的方法 | 2012.02.22 | 本发明涉及一种减小功率VDMOSFET导通电阻的方法,包括窗口扩散区长度Lw和多晶硅栅长度Lp的确定 |
4 | CN102332396A | 一种功率VDMOSFET结构的设计方法 | 2012.01.25 | 本发明涉及一种功率VDMOSFET结构的设计方法,其特征在于,包括以下步骤:首先对元胞结构选取,采用 |
5 | CN202033680U | 半导体测试系统的一种积分控制电路 | 2011.11.09 | 本实用新型涉及半导体测试系统的一种积分控制电路,包括混合放大器、电流积分电路和负反馈电路,其特征在于 |
6 | CN202025069U | 利用辅助运放测试运放类IC参数的电路 | 2011.11.02 | 本实用新型涉及利用辅助运放测试运放类IC参数的电路,其特征在于:电阻R1一端接交流电源VI1,另一端 |
7 | CN202014257U | 数字IC测试系统的时序产生电路 | 2011.10.19 | 本实用新型一种数字IC测试系统的时序产生电路,包括SPLIT选择器,32位可编程计数器,时间设定寄存 |
8 | CN102183724A | 以测量电压效应为基础的芯片失效方法 | 2011.09.14 | 本发明涉及一种以测量电压效应为基础的芯片失效方法,其特征在于:按以下步骤进行:1)将芯片通过开盖机, |
9 | CN201967246U | 适用于半导体测试刀片针的PCB板 | 2011.09.07 | 本实用新型涉及一种适用于半导体测试刀片针的PCB板,包括PCB板,其特征在于:所述PCB板一侧部设置 |
10 | CN102169107A | 芯片钠离子沾污失效分析实现方法 | 2011.08.31 | 本发明涉及一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法,包括次级离子质谱仪,其特征在于,按如下步骤进行:a.D |
11 | CN201765306U | 基于PC机搭建的模拟IC测试系统 | 2011.03.16 | 本实用新型涉及一种基于PC机搭建的模拟IC测试系统,包括设置有IC测试程序的PC机及待测器件,其特征 |
12 | CN201742294U | 一种TFT-LCD驱动电源的自适应电荷泵 | 2011.02.09 | 本实用新型涉及一种TFT-LCD驱动电源的自适应电荷泵,包括第一时钟信号输出端、第二时钟信号输出端、 |
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