博嘉圣(福州)微电子科技有限公司
企业简介
  BONRISH MICROELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD是一家专业从事集成电路产品研发、生产、销售的高科技企业,产品主要有稳压电路、电源管理、音频功放电路、通用比较器、运算放大器、电话电路、马达控制电路、接口和驱动电路、电压检测和系统复位电路以及各种二极管、三极管、场效应管、可控硅等。主要应用于高增长、高价值的电子市场,如手机、个人电脑、适配器和充电器、便携式播放器、液晶显示器和液晶电视、汽车、节能灯、钟表、玩具、不间断电源以及其他电子产品领域。 公司拥有一支知识丰富的人才队伍和稳定可靠的生产线,竭诚为客户提供高性价比的产品和便捷的技术支持,帮助客户降低生产成本和提升产品品质。公司本着长期发展的战略,我们将以更积极的态度,更细致的服务,更优质的产品,满足顾客需求。 BONRISH microlcroics chology co.,l. is loca i Taii Tchological Park , Fuzhou of Chia,which is a high -ch compay of IC sig,maufacurig a sllig. prs,w sig a maufacur siv rag of lcroic proucio, icluig sabliz volag circui, powr maagm sysm,auio amplify circui,gral comparaor, opraioal amplifirs ,lpho circui,moor corol circui,all kis of irfac circui a rivig circui. Our proucio also iclu volag civ circui,sysm rsig circui ,ios,rasisors,Mal-Oi-Smicoucor Fil-Effc-Trasisor, SCR a so o.Our proucs ca b us i high-vlopig a high-valuabl mark,such as cll pho,compur,aapr,chargr,porabl playr,LCD moior,LCD TV,auomobil, rgy savig lamps,clocks,oys,UPS a ohr lcroic prouc fils. Wih a am of may kowlgabl mmbrs a a rliabl proucio li, w hav b proviig high cos prformac proucio a asy chology suppor o mak low cos a high qualiy srvic. I is always our goal o provi you br prouc a br srvic o m your .
博嘉圣(福州)微电子科技有限公司的工商信息
  • 350103100004864
  • 913501036692874530
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司
  • 2008-01-07
  • 罗金风
  • 200万人民币
  • 2008-01-07 至 永久
  • 福州市仓山区市场监督管理局
  • 福建省福州市仓山区盖山镇阳岐支路10号1号楼第4层403室
  • 集成电路芯片和半导体器件的开发与销售;电子产品、仪器仪表、机械设备及配件、电气设备、照明电器的销售。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
博嘉圣(福州)微电子科技有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 9142618 BGS 2011-02-23 半导体器件;半导体;集成电路;集成电路块;电子芯片;晶片(锗片);石英晶体;整流器;配电箱(电);低压电源 查看详情
博嘉圣(福州)微电子科技有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN101882181A TFT-LCD驱动芯片版图设计中降低寄生参数影响的方法 2010.11.10 本发明涉及一种TFT-LCD驱动芯片版图设计中降低寄生参数影响的方法,其特征在于:包括减少寄生电容、
2 CN203205423U 一种VDMOS场效应晶体管优化结构 2013.09.18 本实用新型涉及一种VDMOS场效应晶体管优化结构,其特征在于包括:第一金属电极,该第一金属电极作为该
3 CN102361012A 一种减小功率VDMOSFET导通电阻的方法 2012.02.22 本发明涉及一种减小功率VDMOSFET导通电阻的方法,包括窗口扩散区长度Lw和多晶硅栅长度Lp的确定
4 CN102332396A 一种功率VDMOSFET结构的设计方法 2012.01.25 本发明涉及一种功率VDMOSFET结构的设计方法,其特征在于,包括以下步骤:首先对元胞结构选取,采用
5 CN202033680U 半导体测试系统的一种积分控制电路 2011.11.09 本实用新型涉及半导体测试系统的一种积分控制电路,包括混合放大器、电流积分电路和负反馈电路,其特征在于
6 CN202025069U 利用辅助运放测试运放类IC参数的电路 2011.11.02 本实用新型涉及利用辅助运放测试运放类IC参数的电路,其特征在于:电阻R1一端接交流电源VI1,另一端
7 CN202014257U 数字IC测试系统的时序产生电路 2011.10.19 本实用新型一种数字IC测试系统的时序产生电路,包括SPLIT选择器,32位可编程计数器,时间设定寄存
8 CN102183724A 以测量电压效应为基础的芯片失效方法 2011.09.14 本发明涉及一种以测量电压效应为基础的芯片失效方法,其特征在于:按以下步骤进行:1)将芯片通过开盖机,
9 CN201967246U 适用于半导体测试刀片针的PCB板 2011.09.07 本实用新型涉及一种适用于半导体测试刀片针的PCB板,包括PCB板,其特征在于:所述PCB板一侧部设置
10 CN102169107A 芯片钠离子沾污失效分析实现方法 2011.08.31 本发明涉及一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法,包括次级离子质谱仪,其特征在于,按如下步骤进行:a.D
11 CN201765306U 基于PC机搭建的模拟IC测试系统 2011.03.16 本实用新型涉及一种基于PC机搭建的模拟IC测试系统,包括设置有IC测试程序的PC机及待测器件,其特征
12 CN201742294U 一种TFT-LCD驱动电源的自适应电荷泵 2011.02.09 本实用新型涉及一种TFT-LCD驱动电源的自适应电荷泵,包括第一时钟信号输出端、第二时钟信号输出端、
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